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氮化硅廠家列舉幾種常見制備方�

來源:http://www.jinxufushi.com/news1019589.html�(fā)布時間:2024/5/15 15:14:00

     氮化�是一種無機物,化�(xué)式為Si?N?,具有多種優(yōu)異性能,因此在多個領(lǐng)域都有廣泛的�(yīng)��氮化硅廠�長期生產(chǎn)及提�氮化�,在生產(chǎn)方面有著豐富的經(jīng)驗,了解幾種常見的制備方�。下面將向大家列舉幾種常見的制備方法�

     反應(yīng)燒結(jié)法(RS):先采用一般成型法,將硅粉壓制成所需形狀的生�,然后放入氮化爐進行�(yù)氮化(部分氮化)燒結(jié)處理。預(yù)氮化后的生坯已具有一定的強度,可以進行各種機械加工。在硅熔點的溫度以上,將生坯再一次進行完全氮化燒結(jié),得到尺寸變化很小的�(chǎn)��

     熱壓燒結(jié)法(HPS):這是將Si3N4粉末和少量添加劑(如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3等)混合�,在1916 MPa以上的壓強和1600 ℃以上的溫度進行熱壓成型燒結(jié)的方��

     常壓燒結(jié)法(PLS):在提高燒�(jié)氮氣氛壓力方�,利用Si3N4分解溫度升高的性質(zhì),在1700-1800℃溫度范圍內(nèi)進行常壓燒結(jié)�,再�1800-2000℃溫度范圍內(nèi)實施氣壓燒結(jié)�

     熱反�(yīng)法:這是氮化硅早期的制備方法之一,主要通過高溫下氨氣和硅粉的反�(yīng)生成氮化�。這種方法簡單、易操作,但�(chǎn)物純度較�,且熱反�(yīng)溫度要求較高�


     氣相沉積法:這是一種化�(xué)氣相沉積(CVD)技�(shù),主要利用氮氣和硅氣混合物在高溫下反�(yīng)生成氮化硅薄�。這種方法具有成本低、反�(yīng)速率快等�(yōu)�,同時可以用于制備高�(zhì)量的氮化硅薄膜�

     液相沉積法:利用液體反應(yīng)物將氮化硅生長在硅晶片等基片上的一種制備方�。該方法具有工藝簡單、控制方便等�(yōu)�,但生長速率較慢,且可能涉及有毒物質(zhì)的使��

     此外,還有溶�-凝膠法等其他制備氮化硅的方法。這些方法各有�(yōu)缺點,具體選擇哪種方法取決于�(yīng)用需求、設(shè)備條�、成本預(yù)算等因素。在制備氮化硅的過程中,原料的選�、預(yù)處理、反�(yīng)條件控制、產(chǎn)物處理等�(huán)節(jié)都非常重�,需要準(zhǔn)確控制以確保�(chǎn)品的�(zhì)量和性能�

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