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氮化硅廠家總�(jié)一些關(guān)于氮化硅的信�

來源:http://www.jinxufushi.com/news928298.html�(fā)布時間:2017/5/19 0:00:00

       氮化�是一種比較常見的一種氮化材料,在市場上的應(yīng)用空間也比較廣泛,但是依然有一部分人對�氮化�并不是很了解,為了讓更多的人認識了解氮化硅,促進氮化硅快速發(fā)�,將簡單的總�(jié)一些關(guān)于氮化硅的基本信�。氮化硅用做高級耐火材料,如與sic�(jié)合作SI3N4-SIC耐火材料用于高爐爐身等部�;如與BN�(jié)合作SI3N4-BN材料,用于水平連鑄分離�(huán)。SI3N4-BN系水平連鑄分離�(huán)是一種細�(jié)�(gòu)陶瓷材料,結(jié)�(gòu)均勻,具有高的機械強�。耐熱沖擊性好,又不會被鋼液濕�,符合連珠的工藝要��

       氮化硅的物理物�,相對分子質(zhì)�140.28?;疑?、白色或灰白�。六方晶�。晶體呈六面�。密�3.44。莫氏硬�9~9.5,維氏硬度約�2200,顯微硬度為32630MPa。熔�1900℃(加壓下)。通常在常壓下1900℃分�。比熱容0.71J/(g·K)。生成熱�-751.57kJ/mol。熱導率�16.7W/(m·K)。線膨脹系數(shù)�2.75×10-6/�(20~1000�)。不溶于�。溶于氫氟酸。在空氣中開始氧化的溫度1300~1400�。比體積電阻�20℃時�1.4×105·m,500℃時�4×108·m。彈性模量為28420~46060MPa。耐壓強度�490MPa(反�(yīng)燒結(jié)的)�1285攝式度時與二氮化二鈣反應(yīng)生成二氮硅化��600度時使過渡金屬還�,放出氮氧化�??箯潖姸�?47MPa??捎晒璺墼诘獨庵屑訜峄螓u化硅與氨反應(yīng)而制��

       氮化硅還能應(yīng)用到太陽能電池中。用PECVD法鍍氮化硅膜�,不但能作為減反射膜可減小入射光的反射,而且,在氮化硅薄膜的沉積過程�,反�(yīng)�(chǎn)物氫原子進入氮化硅薄膜以及硅片內(nèi),起到了鈍化缺陷的作用。這里的氮化硅氮硅原子�(shù)目比并不是嚴格的4:3,而是根據(jù)工藝條件的不同而在一定范圍內(nèi)波動,不同的原子比例對應(yīng)的薄膜的物理性質(zhì)有所不同�
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